0 Item(s)
0 Item(s)
LAPIS Semiconductor
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RQ3E120GNTB | ผู้ผลิต | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| ลักษณะ | MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT | สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS |
| ปริมาณที่มีอยู่ | 345411 pcs | แผ่นข้อมูล | 1.RQ3E120GNTB.pdf2.RQ3E120GNTB.pdf |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2.5V @ 1mA | Vgs (สูงสุด) | ±20V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-HSMT (3.2x3) |
| ชุด | - | RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 12A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2W (Ta), 16W (Tc) | บรรจุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-PowerVDFN | ชื่ออื่น | RQ3E120GNTBTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (TJ) | ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) | ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน | 40 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 590pF @ 15V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 10nC @ 10V | ประเภท FET | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET | - | แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30V | คำอธิบายโดยละเอียด | N-Channel 30V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
|---|---|---|
| ดีเอชแอ | www.DHL.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
| ยูพีเอส | www.UPS.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
| ทีเอ็นที | www.TNT.com | จาก $ 35.00 ค่าจัดส่งพื้นฐานขึ้นอยู่กับโซนและประเทศ |
